摻鎵坩堝，顧名思義，即針對摻鎵工藝單晶硅生長用石英坩堝，其在多次拉晶過程中，可提高引晶成功率、降低收尾位錯以及降低硅棒氧含量，相對于普通工藝的石英坩堝而言，有更加優(yōu)秀的表現(xiàn)，錦州佑鑫同時也彌補了摻鎵工藝單晶硅拉制過程中需要在石英坩堝內摻入鋇粉帶來的缺點。

　　隨著光伏發(fā)電技術的不斷提升，追求高轉換效率一直是整個行業(yè)持續(xù)關注的話題。錦州佑鑫在P型單晶太陽能硅片市場上，摻鎵技術逐漸替代摻硼技術必將成為市場主流！